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Dual, SiGe, High-Linearity, 700MHz to 1000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, V CC = +3.3V , P LO = 0dBm, P RF = -5dBm, LO is high-side injected for a 200MHz IF, T C =+25°C, unless
otherwise noted.)
11
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY
11
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY
11
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY
10
9
8
T C = -30°C
V CC = 3.3V
10
9
8
V CC = 3.3V
10
9
8
7
6
T C = +85°C
T C = +25°C
7
6
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
7
6
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
700
800
900
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
26
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
26
RF FREQUENCY ( M Hz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
26
RF FREQUENCY (MHz)
INPUT IP3 vs. RF FREQUENCY
25
T C = +85°C
P RF = -5dBm/TONE
V CC = 3.3V
25
P RF = -5dBm/TONE
V CC = 3.3V
P LO = +3dBm
25
P RF = -5dBm/TONE
V CC = 3.6V
24
23
T C = +25°C
24
23
P LO = 0dBm
P LO = -3dBm
24
23
V CC = 3.3V
V CC = 3.0V
T C = -30°C
22
21
22
21
22
21
700
800
900
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
12
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE
vs. RF FREQUENCY
12
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE
vs. RF FREQUENCY
12
RF FREQUENCY (MHz)
NOISE FIGURE
vs. RF FREQUENCY
11
T C = +85°C
V CC = 3.3V
11
V CC = 3.3V
11
10
9
8
10
9
8
10
9
8
7
6
T C = -30°C
T C = +25°C
7
6
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
7
6
V CC = 3.0V, 3.3V, 3.6V
5
5
5
700
800
900
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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